- Sections
- H - électricité
- H05H - Technique du plasma; production de particules électriquement chargées accélérées ou de neutrons; production ou accélération de faisceaux moléculaires ou atomiques neutres
- H05H 3/02 - Production d'un faisceau moléculaire ou atomique, p.ex. d'un faisceau résonnant
Détention brevets de la classe H05H 3/02
Brevets de cette classe: 157
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Exogenesis Corporation | 77 |
12 |
| Tae Technologies, Inc. | 220 |
8 |
| ColdQuanta, Inc., AKA ColdQuanta | 142 |
6 |
| Honeywell International Inc. | 13799 |
4 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
4 |
| Northrop Grumman Systems Corporation | 2940 |
4 |
| Bondtech Co., Ltd. | 56 |
4 |
| The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | 913 |
4 |
| Riken | 1669 |
4 |
| Sarnoff Corporation | 99 |
4 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
3 |
| NGK Insulators, Ltd. | 4589 |
3 |
| AOSense, Inc. | 29 |
3 |
| The Regents of the University of Colorado, a body corporate | 2430 |
3 |
| IonQ, Inc. | 216 |
3 |
| Quantinuum LLC | 123 |
3 |
| The Regents of the University of California | 18943 |
2 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 9632 |
2 |
| Wisconsin Alumni Research Foundation | 3774 |
2 |
| Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 14195 |
2 |
| Autres propriétaires | 77 |